Trockenätzverfahren

Trocken|ätzverfahren,

 

Halbleitertechnik: Sammelbezeichnung für Ätzverfahren, d. h. für Verfahren der Strukturübertragung in der Fertigung von Halbleiterbauelementen, bei denen in einer Vakuumkammer in wasserfreier Atmosphäre geätzt wird, der Materialabtrag also in gasförmiger Umgebung erfolgt. Die Bedeutung der Trockenätzverfahren liegt darin, dass ungerichtete (isotrope) Ätzverfahren, z. B. nasschemisches Ätzen, bei sehr feinen Strukturen (kleiner als etwa 2 μm) nicht mehr eingesetzt werden können, weil sie durch Unterätzen der Lackstrukturen Maßverluste verursachen.

 

Die Schichtabtragung beruht bei den Trockenätzverfahren auf physikalischen Vorgängen (Abstäuben oder Sputtern der Oberfläche durch Ionenbeschuss), auf chemischen Oberflächenreaktionen der auftreffenden Teilchen oder auf der kombinierten Wirkung beider Arten von Prozessen. Die dabei jeweils entstehenden Abprodukte werden über die Gasphase abtransportiert. Trockenätzverfahren sind gerichtet (anisotrop), gleichmäßig, reproduzierbar und selektiv; mit ihnen können extrem kleine Strukturen bei hohen Ätzraten erzeugt werden. Beispiele sind das Plasmaätzen und das reaktive Ionenätzen.